Nitrida silikon produk tingkat tinggi

Mikrostruktur mosaik silikon yang dikristalisasi sebagian ditemukan disilikon nitridaFilm disiapkan oleh LPCVD. Bergantung pada kondisi dan proses yang tumbuh, skala struktur berkisar dari puluhan hingga ratusan nanometer. Berdasarkan hasil uji stres dan transmisi elektron mikroskop pengamatan hasil film Sinx yang ditumbuhkan dalam kondisi yang berbeda, genesis struktur mikro film Sinx yang kaya silikon dan interaksinya dengan stres dalam film ini dianalisis, dan lpcvd proses yang tidak dapat dioptimalkan oleh film-film yang dioptimalkan oleh film-film yang dioptimalkan oleh Silicon yang dioptimalkan, yang sangat mengurangi stres. Berdasarkan hasil penelitian ini, pertumbuhan terkontrol membran sinx dengan stres tarik yang ditentukan direalisasikan oleh LPCVD.

1.Silikon nitridaFilm tipis (sin _ x) disiapkan dengan teknologi uap kimia tekanan rendah (LPCVD) menggunakan silan dan amonia sebagai sumber silikon dan nitrogen, masing-masing, dan nitrogen dengan kemurnian tinggi sebagai gas pembawa. Kinetika pertumbuhan Sin _ x Film dipelajari oleh ellipsometry, sifat-sifat dari sinis _ x dikarakterisasi dengan spektroskopi inframerah Fourier dan spektroskopi fotokopi x-ray, dan moral mikroskopis dari mikroskopik morfologi mikroskopis dari sin {5} x-ray. Di bawah kondisi yang sama dari proses lain, laju pertumbuhan dosa _ x film meningkat secara monoton dengan peningkatan tekanan kerja, dan rasio (r) laju aliran amonia ke silan dalam gas pakan memiliki efek yang berlawanan pada laju pertumbuhan film. Ketika suhu reaksi meningkat, laju pengendapan meningkat secara bertahap, mencapai maksimum sekitar 840 derajat dan kemudian dengan cepat menurun. Ketika R2 digunakan, Sin yang kaya Si _ x film tipis (x1.33) diperoleh. Ketika R4 digunakan, film _ x dengan hampir-stoikiometrik (Z≈1.33) diperoleh.

Tag populer: Produk tingkat tinggi silikon nitrida, produsen silikon nitrida produk tingkat tinggi, pemasok, pabrik