Proses produksi kristal tunggal silikon karbida
Silikon karbida (SiC) adalah bahan semikonduktor penting dengan sifat termodinamika dan listrik yang sangat baik. Ini banyak digunakan pada perangkat elektronik daya, perangkat optoelektronik, sensor dan bidang lainnya. Kristal tunggal silikon karbida adalah salah satu bentuk bahan silikon karbida yang paling banyak digunakan. Proses penyiapannya relatif kompleks, terutama meliputi penyiapan bahan mentah, pertumbuhan kristal, dan pemrosesan wafer.
Bahan kristal tunggal silikon karbida terutama menggunakan bubuk derajat Si dengan kemurnian tinggi sebagai bahan baku untuk menumbuhkan kristal tunggal dengan metode termodinamika. Pertama, perlu memilih bubuk silikon karbida yang sesuai sebagai bahan baku. Kemurnian dan ukuran partikel bubuk mempunyai pengaruh penting terhadap kualitas kristal akhir. Secara umum, bubuk silikon karbida dengan kemurnian tinggi dengan diameter bubuk dalam kisaran 1-5um dipilih dan dipanaskan terlebih dahulu untuk menghilangkan kotoran pada permukaan bubuk. Pada saat yang sama, perlu juga menyiapkan pelarut dan fluks dalam jumlah yang tepat untuk mendorong pertumbuhan kristal silikon karbida.
Deskripsi Produk
|
Nama Produk |
Silikon Karbida |
| Ekspansifitas Linier |
1.5-2 |
| Kekerasan | Abrasif Konvensional |
| Spesifikasi | Sesuai dengan permintaan pelanggan |

Logo & Pengiriman
T: Dapatkah saya memiliki LOGO sendiri pada produk?
Ya, Anda dapat mengirimkan desain Anda kepada kami dan kami dapat membuat LOGO Anda.
Q: Bisakah Anda mengatur pengirimannya?
Tentu, kami memiliki perusahaan ekspedisi permanen yang bisa mendapatkan harga terbaik dari sebagian besar perusahaan kapal dan menawarkan layanan profesional.
Tag populer: bubuk sic silikon karbida, produsen, pemasok, pabrik bubuk silikon karbida Cina

